Module IGBT 2MBI100NT-120-01 semi-conducteur de puissance double

Module IGBT 2MBI100NT-120-01 semi-conducteur de puissance double

Name: Module IGBT 2MBI100NT-120-01 semi-conducteur de puissance double
Brand: Marque générique
SKU: s3_EB0GPWX9S16
Price: 49.99 EUR
Availability: InStock
Rating: 4.4 (330 reviews)

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Description de Module IGBT 2MBI100NT-120-01 semi-conducteur de puissance double

Le cœur de votre régulation : Module IGBT 2MBI100NT-120-01

Le segment de la conversion statique d'énergie exige des composants d'une robustesse absolue. Le module de type IGBT 2MBI100NT-120-01 combine la simplicité de commande d'un transistor à effet de champ (MOSFET) avec la capacité de conduction élevée d'un transistor bipolaire classique. Ce mariage technologique offre un contrôle parfait des flux électriques industriels.

Architecture et géométrie du boîtier

Conçu pour être fixé fermement sur un refroidisseur à air ou à eau, le boîtier de ce module assure une isolation électrique totale entre les terminaux de puissance et la semelle métallique de fixation.

Spécification de l'élément	Donnée nominale
Technologie de puce	IGBT N-Channel
Tension de crête	1200 V
Courant de sortie maximal	100 A
Nombre d'éléments intégrés	2 (Configuration en série)
Type de connectique	Borniers à vis M5 / Broches de signal

Fiabilité accrue pour les environnements sévères

Que ce soit au sein d'une usine de traitement chimique ou d'un atelier de découpe métallique, les variations d'alimentation sont fréquentes. Ce module encaisse les dérives de tension de commande grâce à une structure de grille renforcée, garantissant que chaque impulsion de commutation reste nette et sans bavure.

Détails

OPC	s3_EB0GPWX9S16
Référence produit	s3_EB0GPWX9S16
Marque	Marque générique
Prix	49,99 €
Prix habituel	~~204,05 €~~
Remise	75%
Note	4.5 / 5.0
Disponibilité	En stock (100+ disponibles)