Module IGBT BSM25GD120DN2E3256 semi-conducteur triphasé 1200V 25A

Composant de commutation haute performance pour l'électronique de puissance

Le Module d'alimentation IGBT BSM25GD120DN2E3256 se classe parmi les semi-conducteurs de puissance indispensables pour la modulation de largeur d'impulsion. Sa topologie en pont triphasé permet de piloter des charges inductives complexes avec une grande fluidité de signal.

Une conception industrielle pensée pour durer

Chaque puce de silicium intégrée dans ce boîtier est interconnectée pour minimiser l'inductance parasite. Cela se traduit par une réduction de l'effet Joule et par une meilleure longévité générale du système de conversion d'énergie où il est installé.

Détails de l'architecture

• Structure isolée facilitant le montage direct sur dissipateur thermique.
• Diodes de roue libre rapides intégrées pour chaque IGBT du pont.
• Résistance aux cycles thermiques répétés pour un usage continu.

Tableau des grandeurs électriques