Module de diode à récupération rapide IXFN34N100 semi-conducteur de puissance 1000V

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Description de Module de diode à récupération rapide IXFN34N100 semi-conducteur de puissance 1000V

Composant de puissance : Module diode à récupération rapide IXFN34N100

Le secteur de l'électronique industrielle requiert des composants discrets capables de supporter des contraintes électriques majeures. Le module de diode IXFN34N100, incluant les spécifications de la variante IXFN38N100P, s'impose comme une référence fiable pour la gestion du courant alternatif vers le courant continu.

Propriétés matérielles et mécaniques

La base isolée en cuivre du module permet de fixer le composant directement sur un radiateur en aluminium sans nécessiter de couche d'isolation supplémentaire complexe. Cela simplifie l'assemblage mécanique tout en maximisant le transfert thermique nécessaire au bon fonctionnement du semi-conducteur.

Matrice des paramètres essentiels

Désignation techniqueValeur limite
Tension répétitive inverse1000 V
Intensité de courant direct34 A à 38 A selon le modèle
Technologie de jonctionSilicium à commutation rapide
Système de fixationDouble vis supérieure

Champs d'application opérationnels

Idéal pour la conception de chargeurs de batteries de forte puissance ou pour les systèmes d'alimentation des stations de télécommunication, ce module stabilise le signal électrique. Sa robustesse intrinsèque évite les pannes de commutation intermittentes qui perturbent souvent les lignes de production automatisées.

Détails

OPC s8_EB0H4TYFFD4
Référence produit s8_EB0H4TYFFD4
Marque
Prix 49,99 €
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5/5
J. Mclachlan
Publié le 13/10/2026
Vendu par EXTREME MOBILE LTD
Je suis ravi de mon achat, le produit est superbe.
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